इनोव्हेशन कन्व्हर्जन्स: इन्फिनियनच्या कूलएसआयसी™ एमओएसएफईटी जी२ आणि वायएमआयएन थिन फिल्म कॅपेसिटरमधील तांत्रिक समन्वय

YMIN थिन फिल्म कॅपेसिटर हे इन्फिनॉनच्या CoolSiC™ MOSFET G2 ला परिपूर्णपणे पूरक आहेत.

इन्फिनॉनचे नवीन पिढीचे सिलिकॉन कार्बाइड CoolSiC™ MOSFET G2 हे पॉवर मॅनेजमेंटमध्ये आघाडीचे नवोन्मेष आहे. YMIN थिन फिल्म कॅपेसिटर, त्यांच्या कमी ESR डिझाइन, उच्च रेटेड व्होल्टेज, कमी गळती करंट, उच्च तापमान स्थिरता आणि उच्च क्षमता घनतेसह, या उत्पादनासाठी मजबूत आधार प्रदान करतात, उच्च कार्यक्षमता, उच्च कार्यक्षमता आणि उच्च विश्वासार्हता प्राप्त करण्यास मदत करतात, ज्यामुळे ते इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये पॉवर रूपांतरणासाठी एक नवीन उपाय बनते.

YMIN ची वैशिष्ट्ये आणि फायदेपातळ फिल्म कॅपेसिटर

कमी ईएसआर:
YMIN थिन फिल्म कॅपेसिटरची कमी ESR डिझाइन पॉवर सप्लायमधील उच्च-फ्रिक्वेन्सी नॉइज प्रभावीपणे हाताळते, ज्यामुळे CoolSiC™ MOSFET G2 च्या कमी स्विचिंग लॉसची पूर्तता होते.

उच्च रेटेड व्होल्टेज आणि कमी गळती:
YMIN थिन फिल्म कॅपेसिटरची उच्च रेटेड व्होल्टेज आणि कमी गळती करंट वैशिष्ट्ये CoolSiC™ MOSFET G2 ची उच्च तापमान स्थिरता वाढवतात, ज्यामुळे कठोर वातावरणात सिस्टम स्थिरतेसाठी मजबूत आधार मिळतो.

उच्च तापमान स्थिरता:
YMIN थिन फिल्म कॅपेसिटरची उच्च तापमान स्थिरता, CoolSiC™ MOSFET G2 च्या उत्कृष्ट थर्मल व्यवस्थापनासह एकत्रित केल्याने, सिस्टमची विश्वासार्हता आणि स्थिरता आणखी वाढते.

उच्च क्षमता घनता:
पातळ फिल्म कॅपेसिटरची उच्च क्षमता घनता सिस्टम डिझाइनमध्ये अधिक लवचिकता आणि जागेचा वापर प्रदान करते.

निष्कर्ष

इन्फिनियनच्या CoolSiC™ MOSFET G2 साठी आदर्श भागीदार म्हणून YMIN थिन फिल्म कॅपेसिटरमध्ये मोठी क्षमता आहे. या दोघांचे संयोजन सिस्टमची विश्वासार्हता आणि कार्यक्षमता सुधारते, इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसाठी चांगला आधार प्रदान करते.